Ruchliwość

Z testwiki
Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania

Ruchliwość nośników – w fizyce oraz chemii, wielkość wyrażająca związek między prędkością dryfu elektronów, jonów lub innych nośników ładunku, i zewnętrznym polem elektrycznym. Ruchliwością nazywa się czasem również sam proces ruchu skierowanego (dryfowania) nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego.

W przypadku ciał stałych ruchliwość elektronów oraz dziur (ruchliwość nośników ładunku) zależy od temperatury.

Definicja i jednostka

Ruchliwość definiowana jest jako prędkość dryfu nadawana przez jednostkowe pole elektryczne:

μ=vd/E,

gdzie:

μ – ruchliwość.

Najczęściej wyraża się ją w m²/Vs.

Relacja Einsteina

Wzór Einsteina wyraża związek między ruchliwością a współczynnikiem dyfuzji:

Dμ=kTq,

gdzie:

D – współczynnik dyfuzji,
T – temperatura nośników ładunku,
kstała Boltzmanna,
qładunek elektryczny.

Ruchliwość elektronów w gazie

W zmiennym polu elektrycznym skierowana prędkość elektronów nie musi zgadzać się w fazie z natężeniem pola. Tym samym przewodność elektryczna jest wielkością zespoloną. W słabo zjonizowanym gazie ruchliwość opisuje związek Langevina:

μ=(eEm)(iω+v),

gdzie:

m – masa elektronu,
ωczęstość kołowa pola elektrycznego,
v – częstotliwość zderzeń elektronów z cząsteczkami.

W stałym polu elektrycznym ruchliwość wynosi:

μ=a1eEλmv,

gdzie:

λśrednia droga swobodna elektronu,
v – średnia prędkość ruchu cieplnego elektronów,
a1 – współczynnik liczbowy rzędu 0,5-1.

Elektrony posiadają znacznie mniejszą masę niż cząsteczki, dlatego podczas zderzeń sprężystych z nimi tracą bardzo małą część energii kinetycznej. W wyniku tego nawet w słabych polach ich energia średnia przewyższa energię cząsteczek obojętnych i rośnie w miarę wzrostu natężenia pola. Przy założeniu, że zderzenia mają charakter sprężysty, otrzymano wzór Dawydowa:

μ=0,75eλ(mkT)12{1+[1+13(eEλkT)Mm]12}13,

gdzie:

M – masa cząsteczki,
T – temperatura gazu.

Ruchliwość jonów w gazie

W teorii Langevina atomy i jony są traktowane jako kule sztywne, odpychające się przy bezpośrednim zbliżeniu, a poza tym przyciągają się wzajemnie siłami polaryzacyjnymi. Wzór Langevina:

μ=g1+MMjρ(ϵ1),

gdzie:

ϵprzenikalność dielektryczna gazu,
Mj – masa jonu,
M – masa atomu,
ρ – gęstość gazu,
g – parametr wyrażający względny udział w mechanizmie ruchliwości zderzeń bezpośrednich w stosunku do sił polaryzacji.

Jeśli w gazie są tylko jony powstałe w wyniku jonizacji cząsteczek tego samego gazu, to ich ruchliwość związana jest przede wszystkim z procesem wymiany ładunku jonów.

Ruchliwość nośników w półprzewodniku

Ruchliwość nośników zależy od koncentracji domieszek. W półprzewodnikach do wartości koncentracji domieszek rzędu 1015 cm−3 ruchliwość nośników jest praktycznie stała, a powyżej tej wartości zaczyna maleć.

Ruchliwość zależy także od temperatury. W zakresie temperatur dominuje rozpraszanie nośników na atomach sieci (ruchliwość sieciowa). W takim przypadku ruchliwość maleje przy wzroście temperatury zgodnie z zależnością:

μ=BTκ,

gdzie: B – jest stałą niezależną od temperatury.

Zobacz też

Bibliografia

Szablon:Kontrola autorytatywna