Tekst źródłowy strony Przewodnictwo dziurowe

'''Przewodnictwo dziurowe''', '''przewodnictwo typu ''p''''' – model [[przewodnictwo elektryczne|przewodnictwa elektrycznego]], w którym pod działaniem zewnętrznego [[pole elektryczne|pola elektrycznego]] kolejne elektrony przechodzą na wolne poziomy energetyczne w paśmie podstawowym. Proces taki wygodnie jest opisywać jako ruch dodatnio naładowanej „dziury”, choć w rzeczywistości przewodnictwo dziurowe jest specjalnym typem [[przewodnictwo elektronowe|przewodnictwa elektronowego]].

[[Elektron]] pod wpływem dostarczonej energii może przedostawać się z części [[Pasmowa teoria przewodnictwa|pasma podstawowego]] do [[Pasmowa teoria przewodnictwa|pasma przewodnictwa]]. Wówczas w pasmie podstawowym powstaje [[dziura elektronowa]], wolny stan energetyczny, który może zostać zajęty przez inny elektron. Powstanie dziury umożliwia przechodzenie pod wpływem pola elektrycznego elektronów sąsiednich atomów w uwolnione miejsce. Elektron zapełniając taką dziurę pozostawia po sobie nową dziurę, w efekcie można proces takiego przewodnictwa opisywać jako ruch dziury. Taka dziura posiada pewną [[masa efektywna|masę efektywną]], która odzwierciedla działanie elektronów z polami krystalicznymi atomów.

Wzbudzenie elektronu z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa sprawia, że pojawiają się dwa swobodne [[nośniki ładunku|nośniki prądu elektrycznego]] – ujemny elektron w pasmie przewodnictwa i dodatnia dziura w pasmie podstawowym o odpowiednich masach efektywnych. Po przyłożeniu zewnętrznego [[pole elektryczne|pola elektrycznego]], oba te nośniki biorą udział w przewodzeniu prądu elektronowego. W takim przypadku prąd płynący przez kryształ jest sumą prądu elektronowego i dziurowego. [[Konduktywność|Przewodność elektryczna]] jest wtedy równa:
:: <math>\sigma = ne \mu_n + pe \mu_p,</math>

gdzie:
: <math>n</math> – koncentracja elektronów,
: <math>p</math> – koncentracja dziur,
: <math>\mu_n, \mu_p</math> – ruchliwość elektronów i dziur.

Pod wpływem wzrostu temperatury rośnie [[gęstość liczbowa|koncentracja]] termicznie wzbudzonych elektronów i dziur i przewodność kryształu się zwiększa.

W [[Półprzewodniki|półprzewodnikach]] domieszkowych typu <math>p,</math> z domieszkami akceptorowymi, powstaje dodatkowy [[poziom energetyczny]] (akceptorowy), leżący bardzo blisko pasma podstawowego. W wyniku przechodzenia elektronów z pasma podstawowego na poziom akceptorowy w pasmie tym powstają dziury, dlatego też przewodnictwo elektryczne półprzewodników typu p ma charakter głównie dziurowy.

[[Kategoria:Elektryczność]]